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Confira as RegrasDados Técnicos | • CL(IDD): 11 ciclos
• Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.) • Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.) • Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.) • Consumo de energia :2.376 W* • UL Rating: 94 V - 0 • Temperatura de Operação: 0oC a 85oC • Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. |
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Outras Especificações | • Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) • 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin • 8 bancos internos independentes • Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6 • Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock • 8-bit pre-fetch • Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS] • Data Strobe Diferencial bi-direcional • Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%) • Terminação no Die usando o pino ODT • Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C • Reset assíncrono • PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados |
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Imagens | Imagens meramente ilustrativas. |
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Código ERP | 1330900001 |
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Código Sku | 9002965 |
Part number | KVR16LS11/4 |
Itens Inclusos | 01- Memória para Notebook Kingston |
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