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Memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston

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Informações

Descrição do produto

Memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston

A memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston é um módulo de memória SDRAM SODIMM PC3L-12800 que oferece uma capacidade de 8GB. Com sua tecnologia DDR3 de alta qualidade e baixa voltagem, essa memória é ideal para uso em computadores portáteis.

Diferenciais do produto:

Capacidade de 8GB para melhor desempenho e eficiência no processamento de dados;

Tecnologia DDR3 para uma transferência rápida de dados;

Baixa voltagem, o que resulta em uma maior economia de energia;

Frequência de 1600MHz, garantindo um desempenho suave e sem interrupções;

Qualidade e confiabilidade da marca Kingston.

Funcionalidades:

Com a memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston, você poderá desfrutar de uma capacidade de memória aumentada em seu computador portátil. Isso resultará em um melhor desempenho de tarefas multitarefa, execução de programas mais rápidos e um maior tempo de resposta do sistema.

Dicas de uso:

Para aproveitar ao máximo o desempenho e a eficiência da memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston, é recomendável instalá-la corretamente em seu computador portátil seguindo as orientações do fabricante. Também é importante garantir a compatibilidade com o sistema do seu dispositivo.

Dados técnicos

Informações Técnicas

Dados Técnicos	Características técnicas: • Tipo de módulo: 204 pinos DDR3L SDRAM (Synchronous DRAM) • Capacidade de armazenamento: 8 GB • Frequência: 1600 MHz (PC3L-12800) • Padrão JEDEC: 1.35 V (1.28 V ~ 1.45 V) e 1.5 V (1.425 V ~ 1.575 V) • CL(IDD): 11 ciclos • Taxa UL: 94 V - 0 • Bancos internos independentes: 8 • Pré busca (Pre-fetch): 8 bits • Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço de partida "000" apenas), 4 com tCCD = 4, que faz não permitir leitura perfeita ou escrever [ou em tempo real usando A12 ou MRS]. • Diferencial Strobe de dados: Bi-direcional • Auto calibração interna: através ZQ pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%) • Terminação Die: usando pinos ODT • Sensor On-DIMM: térmica (classe B) • Média de atualização: 7.8us período em inferior TCASE 85 °C, 3.9us a 85 °C - Reset: assíncrono • Dimensões: Altura 30 milímetros Latência: • CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6 • Tempo de latência: 11 - 11 - 11 • Aditivo programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock Tempo da memoria: • Tempo linha Ciclo (tRCmin): 48.125 ns (mínimo) • Atualização para Active/Refresh (Tempo de comando (tRFCmin) : 260 ns (minimo) • Tempo linha Active (tRASmin): 35 ns (minimo) Consumo de energia: • 1.35 V: 2.721 W Ambiente: • Temperatura de operação: 0º a 85º C • Temperatura em armazenamento: - 55º a 100º C Compatibilidade: • Notebook compatível com memória DDR3L de 1600 MHz

Dados Técnicos

Características técnicas:
• Tipo de módulo: 204 pinos DDR3L SDRAM (Synchronous DRAM)
• Capacidade de armazenamento: 8 GB
• Frequência: 1600 MHz (PC3L-12800)
• Padrão JEDEC: 1.35 V (1.28 V ~ 1.45 V) e 1.5 V (1.425 V ~ 1.575 V)
• CL(IDD): 11 ciclos
• Taxa UL: 94 V - 0
• Bancos internos independentes: 8
• Pré busca (Pre-fetch): 8 bits
• Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço de partida "000" apenas), 4 com tCCD = 4, que faz não permitir leitura perfeita ou escrever [ou em tempo real usando A12 ou MRS].
• Diferencial Strobe de dados: Bi-direcional
• Auto calibração interna: através ZQ pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Terminação Die: usando pinos ODT
• Sensor On-DIMM: térmica (classe B)
• Média de atualização: 7.8us período em inferior TCASE 85 °C, 3.9us a 85 °C - Reset: assíncrono
• Dimensões: Altura 30 milímetros

Latência:
• CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Tempo de latência: 11 - 11 - 11
• Aditivo programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock

Tempo da memoria:
• Tempo linha Ciclo (tRCmin): 48.125 ns (mínimo)
• Atualização para Active/Refresh (Tempo de comando (tRFCmin) : 260 ns (minimo)
• Tempo linha Active (tRASmin): 35 ns (minimo)

Consumo de energia:
• 1.35 V: 2.721 W

Ambiente:
• Temperatura de operação: 0º a 85º C
• Temperatura em armazenamento: - 55º a 100º C

Compatibilidade:
• Notebook compatível com memória DDR3L de 1600 MHz

Especificações

Outras Especificações	• Módulo de memória para notebooks Kingston KVR16LS11/8 com 8 GB DDR3L de 1600 MHz. • O SPD é programado para JEDEC latência temporização padrão de 1600 MHz de 11-11-11 até 1.35 V ou 1.5 V. • Padrão SODIMM de 204 pinos usa contatos de ouro. • Esta memória funciona somente em máquinas que aceitem memórias DDR3L.

SAC

Garantia	Lifetime

Aviso

Imagens	Imagens meramente ilustrativas.

Referências

Código ERP	1670600001
Código Sku	9004494
Part number	KVR16LS11/8
Código de Barras	740617219791

Itens Inclusos

Itens Inclusos	01- Memória 8GB Kingston

Dimensões da Embalagens

Dimensões Aproximadas do Produto

Memória 8GB DDR3L 1600MHz CL11 KVR16LS11/8 Kingston: Altura: 3,00 Centímetros; Largura: 11,00 Centímetros; Profundidade: 16,00 Centímetros; Peso: 20,00 Gramas