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A memória para notebook KVR26SN19 da Kingston é uma escolha ideal para melhorar o desempenho do seu notebook. Com especificações avançadas e confiabilidade comprovada, essa memória DDR4-2666 oferece um aumento significativo na velocidade e capacidade de multitarefa do seu sistema.
O módulo de memória KVR26SN19 da Kingston é um DDR4-2666 de 16GB, CL19 SDRAM (DRAM síncrona) com uma configuração de 2G x 64 bits. Possui oito componentes FBGA 2G x 8bits, garantindo desempenho confiável e eficiente.
Com a memória KVR26SN19, você experimentará um desempenho aprimorado em seu notebook. A velocidade de clock DDR4-2666 permite que seu sistema execute tarefas de forma mais rápida e eficiente, resultando em tempos de resposta mais curtos e melhor capacidade de resposta geral.
O módulo de memória KVR26SN19 é projetado para oferecer compatibilidade com uma ampla gama de notebooks. Compatível com a maioria dos sistemas que suportam memória DDR4, a instalação é simples e rápida, permitindo que você aproveite os benefícios imediatamente.
O SPD (Serial Presence Detect) do KVR26SN19 é programado com latência padrão JEDEC DDR4-2666 de 19-19-19 a 1.2V. Isso garante um equilíbrio ideal entre desempenho e eficiência energética, contribuindo para um menor consumo de energia e maior vida útil da bateria.
Cada DIMM de 288 pinos do KVR26SN19 utiliza contatos de ouro, proporcionando uma conexão sólida e confiável com o notebook. Além disso, a memória da Kingston passa por rigorosos testes de qualidade, garantindo durabilidade e estabilidade operacional.
A memória para notebook KVR26SN19 da Kingston é uma escolha confiável e eficiente para aprimorar o desempenho do seu notebook. Com capacidade de 16GB, velocidade DDR4-2666 e latência otimizada, essa memória oferece uma melhoria significativa no desempenho multitarefa e na capacidade de resposta geral do sistema.
Invista na memória KVR26SN19 da Kingston e desfrute de um desempenho aprimorado em seu notebook!
| Dados Técnicos | • Especificações
- Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica - VDDQ = 1,2 V típico - VPP = 2,5 V típico - VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V - Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) parados, strobe e sinais de máscara - Auto-atualização de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração de VREFDQ na matriz - Single-rank - EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) - 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada - Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) - Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) - Topologia fly-by - Comando de controle terminado e barramento de endereço - PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm) - Compatível com RoHS e livre de halogênio |
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| Outras Especificações | • Complementares
- CL (IDD): 19 ciclos - Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.) - Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.) - Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.) - Classificação UL: 94 V-0 - Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC - Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC. |
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| Garantia | 1 ano |
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| Imagens | Imagens meramente ilustrativas. |
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| Referência / Modelo | KVR26SN19 |
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| Itens Inclusos | 01 Memória para Notebook KVR26SN19 |
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